光刻工艺又称图形转移工艺，是将光刻版上的图形通过加增黏剂、匀胶、曝光、显影等工序转移到硅衬底上的精密表面加工技术。

光刻生产的目标是根据产品版图设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确与其他部件的关联正确。光刻是所有工艺中最关键的步骤，光刻确定了器件的关键尺寸，控制光刻过程套准精度，最终得到设计需要的结构和电路图形。

• 应用材料

  硅、玻璃、蓝宝石、GaN、InP、GaAs、PI、SU-8等

• 接触式光刻

  MA6/BA6光刻机、最小线宽2um、套刻精度±0.5um、衬底尺寸：8寸向下兼容

• 步进式光刻

  Stepper I7/I10/I12、最小线宽0.35um、套刻精度±0.1um、衬底尺寸：6英寸、4英寸、2英寸

• 电子束光刻

  最小线宽50nm、套刻精度：10%、曝光范围 < 直径100mm